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南科集团郑重推出1.5微米低压金属栅晶圆代工工艺（PMC05K）
1、工艺特点：
（a）单管耐压可达9V，适合1.5~5V低压工作；
（b）器件驱动力优于1.2微米硅栅及0.6微米硅栅；
（c）适合具有内建电容及三极管产品之应用，可大幅减少芯片面积；
（d）使用N衬底硅片，可内建生成电阻；
（e）仅需三块掩膜版即可完成CMOS产品——大幅度节省开发成本；
（f）低廉的代工费——低于1.2微米硅栅工艺；
（g）快速的交货周期——投片10天即可产出。
2、1.5μm金属栅(PMC05K)与其它工艺电性相比较:
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新工艺 |
其它工艺 |
| 1.5μm金属栅 |
3.0μm 金属栅 |
1.2μm硅栅 |
0.6μm硅栅 |
| （1）耐压（V） |
9 |
>6.5 |
>11 |
>9 |
| （2）开启电压（V） |
0.6 |
0.6 |
0.9 |
0.9 |
（3）N-管饱和电流（W=30μ）
（VDS=VGS=5V）（mA） |
15 |
3.2 |
7.5 |
9.6 |
（4）P-管饱和电流（W=30μ）
（VDS=VGS=5V）（mA） |
6 |
1.5 |
3.8 |
4.8 |
南科集团郑重推出3.0微米高压金属栅晶圆代工工艺（TC3）
1、工艺特点：
（a）单管耐压可达18V，适合9~12V高压工作；
（b）仅需三块掩膜版即可完成CMOS高压工艺——较低的产品开发成本；
（c）器件性能优于3.0微米及2.0微米硅栅工艺；
（d）低廉的代工费——低于2.0微米及3.0微米硅栅；
（e）快速的交货周期——投片10天即可产出。
2、与其它工艺电性相比较：
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TC3 |
TC7 |
2.0μm硅栅 |
3μm硅栅 |
| （1）耐压（V） |
>18V |
>22V |
>13V |
>16V |
| （2）开启电压（V） |
0.6 |
0.6 |
0.7 |
0.7 |
（3）N-管饱和电流（W=30μ）
（VDS=VGS=5V）（mA） |
3.0 |
0.77 |
5.25 |
3.0 |
（4）P-管饱和电流（W=30μ）
（VDS=VGS=5V）（mA） |
1.2 |
0.38 |
2.25 |
1.2 |
| （5）栅极尺寸(μm) |
3.0 |
7.0 |
2.0 |
3.0 |
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